Siliconix / Vishay 2N7002K-T1-E3
MOSFET, Power,N-Ch,VDSS 60V,RDS(ON) 2 Ohms,ID 300mA,TO-236 (SOT-23),PD 0.35Wنحن سعداء بتقديم منتجات Siliconix / Vishay لعملائنا مع خدمة التسليم إلى بلدانكم. يُرجى التواصل معنا للحصول على معلومات مفصلة حول التسعير وأوقات التسليم. يُرجى إرسال معلومات طلبك، بما في ذلك رموز المنتج والتفاصيل التي ترغب فيها، إلى عنوان البريد الإلكتروني [email protected].
لدينا مجموعة واسعة من منتجات Siliconix / Vishay ونماذج أخرى في مجموعتنا. إذا لم تتمكن من العثور على النموذج الذي تبحث عنه، يمكنك إرسال بريد إلكتروني أو ملء نموذج طلب العرض. نحن نقدم فقط المنتجات الأصلية أو الجديدة.
يمكنك العثور على معلومات مفصلة حول المنتج Siliconix / Vishay 2N7002K-T1-E3 على هذه الصفحة. تُعرف علامة Siliconix / Vishay بأجزائها عالية الجودة المستخدمة في مجموعة متنوعة من الصناعات. يحتوي الموقع على نماذج مختلفة من Siliconix / Vishay، مما يوفر خيارات تلبي احتياجاتك.
يرجى الاتصال بنا لطلب المنتج Siliconix / Vishay 2N7002K-T1-E3 أو لمعرفة المزيد من التفاصيل. نحن سعداء بتأكيد المنتج أو مساعدتك في استعراض النماذج الأخرى.
لا تتردد في التواصل معنا. نحن هنا لتوصيل القطعة الصحيحة بأمان. رضا العملاء وجودة المنتج هي أولويتنا. نحن هنا لتقديم أفضل خدمة لك.
Siliconix / Vishay 2N7002K-T1-E3 Specifications
| Property | Value |
|---|---|
| Channel Type | N |
| Configuration | Single |
| Dimensions | 3.04 x 1.4 x 1.02 mm |
| Drain Current | 300 mA |
| Drain to Source On Resistance | 4 Ohms |
| Drain to Source Voltage | 60 V |
| Forward Transconductance | 100 mS |
| Forward Voltage, Diode | 1.3 V |
| Gate to Source Voltage | ±20 V |
| Height | 0.04" (1.02mm) |
| Input Capacitance | 30 pF @ 25 V |
| Length | 0.119 in |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Number of Pins | 3 |
| Operating and Storage Temperature | -55 to +150 C |
| Package Type | TO-236 |
| Polarization | N-Channel |
| Power Dissipation | 0.35 W |
| Product Header | TrenchFET® Power MOSFET |
| Series | 2N7002 Series |
| Temperature Operating Range | -55 to +150 °C |
| Total Gate Charge | 0.4 nC |
| Turn Off Delay Time | 35 ns |
| Turn On Delay Time | 25 ns |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 0.4 nC @ 10 V |
| Voltage, Breakdown, Drain to Source | 60 V |
| Width | 0.055 in |