Siliconix / Vishay 2N7002K-T1-E3

MOSFET, Power,N-Ch,VDSS 60V,RDS(ON) 2 Ohms,ID 300mA,TO-236 (SOT-23),PD 0.35W

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Siliconix / Vishay 2N7002K-T1-E3 Specifications

Property	Value
Channel Type	N
Configuration	Single
Dimensions	3.04 x 1.4 x 1.02 mm
Drain Current	300 mA
Drain to Source On Resistance	4 Ohms
Drain to Source Voltage	60 V
Forward Transconductance	100 mS
Forward Voltage, Diode	1.3 V
Gate to Source Voltage	±20 V
Height	0.04" (1.02mm)
Input Capacitance	30 pF @ 25 V
Length	0.119 in
Maximum Operating Temperature	+150 °C
Minimum Operating Temperature	-55 °C
Mounting Type	Surface Mount
Number of Elements per Chip	1
Number of Pins	3
Operating and Storage Temperature	-55 to +150 C
Package Type	TO-236
Polarization	N-Channel
Power Dissipation	0.35 W
Product Header	TrenchFET® Power MOSFET
Series	2N7002 Series
Temperature Operating Range	-55 to +150 °C
Total Gate Charge	0.4 nC
Turn Off Delay Time	35 ns
Turn On Delay Time	25 ns
Typical Gate Charge @ Vgs	0.4 nC @ 10 V
Voltage, Breakdown, Drain to Source	60 V
Width	0.055 in