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Siliconix / Vishay 2N7002K-T1-E3
Siliconix / Vishay 2N7002K-T1-E3
MOSFET, Power,N-Ch,VDSS 60V,RDS(ON) 2 Ohms,ID 300mA,TO-236 (SOT-23),PD 0.35WEstamos felizes em oferecer aos nossos clientes produtos Siliconix / Vishay com entrega nos seus países. Por favor, entre em contato conosco para obter informações detalhadas sobre preços e prazos de entrega. Na sua solicitação, por favor, envie informações com códigos de produtos e detalhes específicos para nosso endereço de e-mail [email protected].
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Siliconix / Vishay 2N7002K-T1-E3 Specifications
Property | Value |
---|---|
Channel Type | N |
Configuration | Single |
Dimensions | 3.04 x 1.4 x 1.02 mm |
Drain Current | 300 mA |
Drain to Source On Resistance | 4 Ohms |
Drain to Source Voltage | 60 V |
Forward Transconductance | 100 mS |
Forward Voltage, Diode | 1.3 V |
Gate to Source Voltage | ±20 V |
Height | 0.04" (1.02mm) |
Input Capacitance | 30 pF @ 25 V |
Length | 0.119 in |
Maximum Operating Temperature | +150 °C |
Minimum Operating Temperature | -55 °C |
Mounting Type | Surface Mount |
Number of Elements per Chip | 1 |
Number of Pins | 3 |
Operating and Storage Temperature | -55 to +150 C |
Package Type | TO-236 |
Polarization | N-Channel |
Power Dissipation | 0.35 W |
Product Header | TrenchFET® Power MOSFET |
Series | 2N7002 Series |
Temperature Operating Range | -55 to +150 °C |
Total Gate Charge | 0.4 nC |
Turn Off Delay Time | 35 ns |
Turn On Delay Time | 25 ns |
Typical Gate Charge @ Vgs | 0.4 nC @ 10 V |
Voltage, Breakdown, Drain to Source | 60 V |
Width | 0.055 in |