Infineon IRF5210STRLPBF

MOSFET, Power,P-Ch,VDSS -100V,RDS(ON) 60 Milliohms,ID -38A,D2Pak,PD 170W,-55degc

نحن سعداء بتقديم منتجات Infineon لعملائنا مع خدمة التسليم إلى بلدانكم. يُرجى التواصل معنا للحصول على معلومات مفصلة حول التسعير وأوقات التسليم. يُرجى إرسال معلومات طلبك، بما في ذلك رموز المنتج والتفاصيل التي ترغب فيها، إلى عنوان البريد الإلكتروني [email protected].

لدينا مجموعة واسعة من منتجات Infineon ونماذج أخرى في مجموعتنا. إذا لم تتمكن من العثور على النموذج الذي تبحث عنه، يمكنك إرسال بريد إلكتروني أو ملء نموذج طلب العرض. نحن نقدم فقط المنتجات الأصلية أو الجديدة.

يمكنك العثور على معلومات مفصلة حول المنتج Infineon IRF5210STRLPBF على هذه الصفحة. تُعرف علامة Infineon بأجزائها عالية الجودة المستخدمة في مجموعة متنوعة من الصناعات. يحتوي الموقع على نماذج مختلفة من Infineon، مما يوفر خيارات تلبي احتياجاتك.

يرجى الاتصال بنا لطلب المنتج Infineon IRF5210STRLPBF أو لمعرفة المزيد من التفاصيل. نحن سعداء بتأكيد المنتج أو مساعدتك في استعراض النماذج الأخرى.

لا تتردد في التواصل معنا. نحن هنا لتوصيل القطعة الصحيحة بأمان. رضا العملاء وجودة المنتج هي أولويتنا. نحن هنا لتقديم أفضل خدمة لك.

Infineon IRF5210STRLPBF Specifications

Property	Value
Channel Type	P
Configuration	Dual Drain
Dimensions	10.67 x 9.65 x 4.83 mm
Drain Current	-38 A
Drain to Source On Resistance	60 mOhms
Drain to Source Voltage	-100 V
Forward Transconductance	9.5 S
Forward Voltage, Diode	-1.6 V
Gate to Source Voltage	±20 V
Height	0.19" (4.83mm)
Input Capacitance	2780 pF @ -25 V
Length	0.42 in
Maximum Operating Temperature	+150 °C
Minimum Operating Temperature	-55 °C
Mounting Type	Surface Mount
Number of Elements per Chip	1
Number of Pins	3
Package Type	D2PAK
Polarization	P-Channel
Power Dissipation	170 W
Product Header	Hexfet® Power MOSFET
Series	HEXFET Series
Temperature Operating Range	-55 to +150 °C
Total Gate Charge	150 nC
Turn Off Delay Time	72 ns
Turn On Delay Time	14 ns
Typical Gate Charge @ Vgs	150 nC @ -10 V
Voltage, Breakdown, Drain to Source	-100 V
Width	0 in