Infineon IRF6668TR1PBF

MOSFET, Power,N-Ch,VDSS 80V,RDS(ON) 12 Milliohms,ID 55A,MZ,PD 89W,VGS+/-20V,-40C

نحن سعداء بتقديم منتجات Infineon لعملائنا مع خدمة التسليم إلى بلدانكم. يُرجى التواصل معنا للحصول على معلومات مفصلة حول التسعير وأوقات التسليم. يُرجى إرسال معلومات طلبك، بما في ذلك رموز المنتج والتفاصيل التي ترغب فيها، إلى عنوان البريد الإلكتروني [email protected].

لدينا مجموعة واسعة من منتجات Infineon ونماذج أخرى في مجموعتنا. إذا لم تتمكن من العثور على النموذج الذي تبحث عنه، يمكنك إرسال بريد إلكتروني أو ملء نموذج طلب العرض. نحن نقدم فقط المنتجات الأصلية أو الجديدة.

يمكنك العثور على معلومات مفصلة حول المنتج Infineon IRF6668TR1PBF على هذه الصفحة. تُعرف علامة Infineon بأجزائها عالية الجودة المستخدمة في مجموعة متنوعة من الصناعات. يحتوي الموقع على نماذج مختلفة من Infineon، مما يوفر خيارات تلبي احتياجاتك.

يرجى الاتصال بنا لطلب المنتج Infineon IRF6668TR1PBF أو لمعرفة المزيد من التفاصيل. نحن سعداء بتأكيد المنتج أو مساعدتك في استعراض النماذج الأخرى.

لا تتردد في التواصل معنا. نحن هنا لتوصيل القطعة الصحيحة بأمان. رضا العملاء وجودة المنتج هي أولويتنا. نحن هنا لتقديم أفضل خدمة لك.

Infineon IRF6668TR1PBF Specifications

Property	Value
Channel Type	N
Dimensions	6.35 x 5.05 x 0.536 mm
Drain Current	55 A
Drain to Source On Resistance	15 mΩ
Forward Voltage, Diode	1.3 V
Gate to Source Voltage	±20 V
Height	0.021" (0.536mm)
Input Capacitance	1320 pF @ 25 V
Length	6.35
Maximum Operating Temperature	+150
Minimum Operating Temperature	-40 °C
Number of Elements per Chip	1
Package Type	DirectFET ISOMETRIC MZ
Polarization	N-Channel
Power Dissipation	2.8 W
Product Header	DirectFET™ Power MOSFET
Series	HEXFET Series
Temperature Operating Range	-40 to +150 °C
Total Gate Charge	22 nC
Turn Off Delay Time	7.1 ns
Turn On Delay Time	19 ns
Typical Gate Charge @ Vgs	22 nC @ 10 V
Voltage, Breakdown, Drain to Source	80 V
Width	0.199" (5.05mm)