Infineon IRFH5015TR2PBF

MOSFET, N-Channel, 150V, 56A, 31 mOhm, 33 nC Qg, PQFN

نحن سعداء بتقديم منتجات Infineon لعملائنا مع خدمة التسليم إلى بلدانكم. يُرجى التواصل معنا للحصول على معلومات مفصلة حول التسعير وأوقات التسليم. يُرجى إرسال معلومات طلبك، بما في ذلك رموز المنتج والتفاصيل التي ترغب فيها، إلى عنوان البريد الإلكتروني [email protected].

لدينا مجموعة واسعة من منتجات Infineon ونماذج أخرى في مجموعتنا. إذا لم تتمكن من العثور على النموذج الذي تبحث عنه، يمكنك إرسال بريد إلكتروني أو ملء نموذج طلب العرض. نحن نقدم فقط المنتجات الأصلية أو الجديدة.

يمكنك العثور على معلومات مفصلة حول المنتج Infineon IRFH5015TR2PBF على هذه الصفحة. تُعرف علامة Infineon بأجزائها عالية الجودة المستخدمة في مجموعة متنوعة من الصناعات. يحتوي الموقع على نماذج مختلفة من Infineon، مما يوفر خيارات تلبي احتياجاتك.

يرجى الاتصال بنا لطلب المنتج Infineon IRFH5015TR2PBF أو لمعرفة المزيد من التفاصيل. نحن سعداء بتأكيد المنتج أو مساعدتك في استعراض النماذج الأخرى.

لا تتردد في التواصل معنا. نحن هنا لتوصيل القطعة الصحيحة بأمان. رضا العملاء وجودة المنتج هي أولويتنا. نحن هنا لتقديم أفضل خدمة لك.

Infineon IRFH5015TR2PBF Specifications

Property	Value
Channel Type	N
Configuration	Quad Drain, Triple Source
Dimensions	6.150 x 5.150 x 1.000 mm
Drain Current	44 A
Drain to Source On Resistance	31 mΩ
Drain to Source Voltage	150 V
Forward Transconductance	38 S
Forward Voltage, Diode	1.3 V
Gate to Source Voltage	±20 V
Height	0.039" (1mm)
Input Capacitance	2300 pF @ 50 V
Junction to Ambient Thermal Resistance	35 °C/W
Length	0.242" (6.15mm)
Maximum Operating Temperature	+150 °C
Minimum Operating Temperature	-55 °C
Mounting Type	Surface Mount
Number of Elements per Chip	1
Number of Pins	8
Operating Temperature	-55 to 150 °C
Package Type	PQFN
Polarization	N-Channel
Power Dissipation	156 W
Series	HEXFET Series
Temperature Operating Range	-55 to +150 °C
Total Gate Charge	33 nC
Turn Off Delay Time	14 ns
Turn On Delay Time	9.4 ns
Typical Gate Charge @ Vgs	36 nC @ 10 V
Voltage, Breakdown, Drain to Source	150 V
Width	0.203" (5.15mm)