Infineon IRFP4710PBF

MOSFET, Power,N-Ch,VDSS 100V,RDS(ON) 0.011Ohm,ID 72A,TO-247AC,PD 190W,VGS +/-20V

نحن سعداء بتقديم منتجات Infineon لعملائنا مع خدمة التسليم إلى بلدانكم. يُرجى التواصل معنا للحصول على معلومات مفصلة حول التسعير وأوقات التسليم. يُرجى إرسال معلومات طلبك، بما في ذلك رموز المنتج والتفاصيل التي ترغب فيها، إلى عنوان البريد الإلكتروني [email protected].

لدينا مجموعة واسعة من منتجات Infineon ونماذج أخرى في مجموعتنا. إذا لم تتمكن من العثور على النموذج الذي تبحث عنه، يمكنك إرسال بريد إلكتروني أو ملء نموذج طلب العرض. نحن نقدم فقط المنتجات الأصلية أو الجديدة.

يمكنك العثور على معلومات مفصلة حول المنتج Infineon IRFP4710PBF على هذه الصفحة. تُعرف علامة Infineon بأجزائها عالية الجودة المستخدمة في مجموعة متنوعة من الصناعات. يحتوي الموقع على نماذج مختلفة من Infineon، مما يوفر خيارات تلبي احتياجاتك.

يرجى الاتصال بنا لطلب المنتج Infineon IRFP4710PBF أو لمعرفة المزيد من التفاصيل. نحن سعداء بتأكيد المنتج أو مساعدتك في استعراض النماذج الأخرى.

لا تتردد في التواصل معنا. نحن هنا لتوصيل القطعة الصحيحة بأمان. رضا العملاء وجودة المنتج هي أولويتنا. نحن هنا لتقديم أفضل خدمة لك.

Infineon IRFP4710PBF Specifications

Property	Value
Channel Type	N
Configuration	Single
Dimensions	15.90 x 5.30 x 20.30 mm
Drain Current	72 A
Drain to Source On Resistance	0.014 Ohms
Drain to Source Voltage	100 V
Forward Transconductance	35 S
Forward Voltage, Diode	1.3 V
Gate to Source Voltage	±20 V
Height	0.799" (20.3mm)
Input Capacitance	6160 pF @ 25 V
Length	0.625 in
Maximum Operating Temperature	+175 °C
Minimum Operating Temperature	-55 °C
Mounting Type	Through Hole
Number of Elements per Chip	1
Number of Pins	3
Package Type	TO-247AC
Polarization	N-Channel
Power Dissipation	190 W
Product Header	Hexfet® Power MOSFET
Series	HEXFET Series
Temperature Operating Range	-55 to +175 °C
Total Gate Charge	110 nC
Turn Off Delay Time	41 ns
Turn On Delay Time	35 ns
Typical Gate Charge @ Vgs	Maximum of 110 nC @ 10 V
Voltage, Breakdown, Drain to Source	100 V
Width	0 in