Infineon IRFR4104PBF

MOSFET, Power,N-Ch,VDSS 40V,RDS(ON) 4.3 Milliohms,ID 42A,D-Pak (TO-252AA),-55C

نحن سعداء بتقديم منتجات Infineon لعملائنا مع خدمة التسليم إلى بلدانكم. يُرجى التواصل معنا للحصول على معلومات مفصلة حول التسعير وأوقات التسليم. يُرجى إرسال معلومات طلبك، بما في ذلك رموز المنتج والتفاصيل التي ترغب فيها، إلى عنوان البريد الإلكتروني [email protected].

لدينا مجموعة واسعة من منتجات Infineon ونماذج أخرى في مجموعتنا. إذا لم تتمكن من العثور على النموذج الذي تبحث عنه، يمكنك إرسال بريد إلكتروني أو ملء نموذج طلب العرض. نحن نقدم فقط المنتجات الأصلية أو الجديدة.

يمكنك العثور على معلومات مفصلة حول المنتج Infineon IRFR4104PBF على هذه الصفحة. تُعرف علامة Infineon بأجزائها عالية الجودة المستخدمة في مجموعة متنوعة من الصناعات. يحتوي الموقع على نماذج مختلفة من Infineon، مما يوفر خيارات تلبي احتياجاتك.

يرجى الاتصال بنا لطلب المنتج Infineon IRFR4104PBF أو لمعرفة المزيد من التفاصيل. نحن سعداء بتأكيد المنتج أو مساعدتك في استعراض النماذج الأخرى.

لا تتردد في التواصل معنا. نحن هنا لتوصيل القطعة الصحيحة بأمان. رضا العملاء وجودة المنتج هي أولويتنا. نحن هنا لتقديم أفضل خدمة لك.

Infineon IRFR4104PBF Specifications

Property	Value
Channel Type	N
Configuration	Single
Dimensions	6.73 x 6.22 x 1.78 mm
Drain Current	119 A
Drain to Source On Resistance	5.5 mOhms
Drain to Source Voltage	40 V
Forward Transconductance	58 S
Forward Voltage, Diode	1.3 V
Gate to Source Voltage	± 20 V
Height	0.07" (1.78mm)
Input Capacitance	2950 pF @ 25 V
Length	0.264 in
Maximum Operating Temperature	+175 °C
Minimum Operating Temperature	-55 °C
Mounting Type	Surface Mount
Number of Elements per Chip	1
Number of Pins	3
Package Type	DPAK
Polarization	N-Channel
Power Dissipation	140 W
Product Header	Hexfet® Power MOSFET
Series	HEXFET Series
Temperature Operating Range	-55 to +175 °C
Total Gate Charge	59 nC
Turn Off Delay Time	37 ns
Turn On Delay Time	17 ns
Typical Gate Charge @ Vgs	59 nC @ 10 V
Voltage, Breakdown, Drain to Source	40 V
Width	0 in