Infineon IRG4PH50SPBF

Power MOSFET, 1200V DC-1 kHz (Std.) Discrete IGBT TO-247AC

نحن سعداء بتقديم منتجات Infineon لعملائنا مع خدمة التسليم إلى بلدانكم. يُرجى التواصل معنا للحصول على معلومات مفصلة حول التسعير وأوقات التسليم. يُرجى إرسال معلومات طلبك، بما في ذلك رموز المنتج والتفاصيل التي ترغب فيها، إلى عنوان البريد الإلكتروني [email protected].

لدينا مجموعة واسعة من منتجات Infineon ونماذج أخرى في مجموعتنا. إذا لم تتمكن من العثور على النموذج الذي تبحث عنه، يمكنك إرسال بريد إلكتروني أو ملء نموذج طلب العرض. نحن نقدم فقط المنتجات الأصلية أو الجديدة.

يمكنك العثور على معلومات مفصلة حول المنتج Infineon IRG4PH50SPBF على هذه الصفحة. تُعرف علامة Infineon بأجزائها عالية الجودة المستخدمة في مجموعة متنوعة من الصناعات. يحتوي الموقع على نماذج مختلفة من Infineon، مما يوفر خيارات تلبي احتياجاتك.

يرجى الاتصال بنا لطلب المنتج Infineon IRG4PH50SPBF أو لمعرفة المزيد من التفاصيل. نحن سعداء بتأكيد المنتج أو مساعدتك في استعراض النماذج الأخرى.

لا تتردد في التواصل معنا. نحن هنا لتوصيل القطعة الصحيحة بأمان. رضا العملاء وجودة المنتج هي أولويتنا. نحن هنا لتقديم أفضل خدمة لك.

Infineon IRG4PH50SPBF Specifications

Property	Value
Channel Type	N
Collector Current	57 A
Collector to Emitter Shorted Voltage	1200 V
Configuration	Single
Dimensions	15.87 x 5.31 x 20.70 mm
Drain Current	57 A
Drain to Source Voltage	1200 V
Energy Rating	270 mJ
Forward Transconductance	40 S
Gate to Source Voltage	±30 V
Height	0.815" (20.7mm)
Input Capacitance	3600 pF
Length	0.625 in
Maximum Operating Temperature	+150 °C
Minimum Operating Temperature	-55 °C
Mounting Type	Through Hole
Number of Elements per Chip	1
Number of Pins	3
Package Type	TO-247AC
Polarity	N-Channel
Power Dissipation	200 W
Product Header	Standard Speed N-Channel IGBT
Resistance, Thermal, Junction to Case	0.64 °C/W
Switching Speed	<1 kHz
Temperature Operating Range	-55 to +150 °C
Turn Off Delay Time	1170 ns
Turn On Delay Time	32 ns
Typical Gate Charge @ Vgs	167 nC @ 15 V
Voltage, Collector to Emitter, Saturation	1.75 V
Width	0 in