Infineon IRLR2905TRPBF

MOSFET, Power,N-Ch,VDSS 55V,RDS(ON) 0.027Ohm,ID 42A,D-Pak (TO-252AA),PD 110W

نحن سعداء بتقديم منتجات Infineon لعملائنا مع خدمة التسليم إلى بلدانكم. يُرجى التواصل معنا للحصول على معلومات مفصلة حول التسعير وأوقات التسليم. يُرجى إرسال معلومات طلبك، بما في ذلك رموز المنتج والتفاصيل التي ترغب فيها، إلى عنوان البريد الإلكتروني [email protected].

لدينا مجموعة واسعة من منتجات Infineon ونماذج أخرى في مجموعتنا. إذا لم تتمكن من العثور على النموذج الذي تبحث عنه، يمكنك إرسال بريد إلكتروني أو ملء نموذج طلب العرض. نحن نقدم فقط المنتجات الأصلية أو الجديدة.

يمكنك العثور على معلومات مفصلة حول المنتج Infineon IRLR2905TRPBF على هذه الصفحة. تُعرف علامة Infineon بأجزائها عالية الجودة المستخدمة في مجموعة متنوعة من الصناعات. يحتوي الموقع على نماذج مختلفة من Infineon، مما يوفر خيارات تلبي احتياجاتك.

يرجى الاتصال بنا لطلب المنتج Infineon IRLR2905TRPBF أو لمعرفة المزيد من التفاصيل. نحن سعداء بتأكيد المنتج أو مساعدتك في استعراض النماذج الأخرى.

لا تتردد في التواصل معنا. نحن هنا لتوصيل القطعة الصحيحة بأمان. رضا العملاء وجودة المنتج هي أولويتنا. نحن هنا لتقديم أفضل خدمة لك.

Infineon IRLR2905TRPBF Specifications

Property	Value
Channel Type	N
Configuration	Dual Drain
Dimensions	6.73 x 6.22 x 2.39 mm
Drain Current	42 A
Drain to Source On Resistance	0.04 Ohms
Drain to Source Voltage	55 V
Forward Transconductance	21 S
Forward Voltage, Diode	1.3 V
Gate to Source Voltage	±16 V
Height	0.094" (2.39mm)
Input Capacitance	1700 pF @ 25 V
Length	0.264 in
Maximum Operating Temperature	+175 °C
Minimum Operating Temperature	-55 °C
Mounting Type	Surface Mount
Number of Elements per Chip	1
Number of Pins	3
Package Type	DPAK
Polarization	N-Channel
Power Dissipation	110 W
Product Header	Hexfet® Power MOSFET
Series	HEXFET Series
Temperature Operating Range	-55 to +175 °C
Total Gate Charge	48 nC
Turn Off Delay Time	26 ns
Turn On Delay Time	11 ns
Typical Gate Charge @ Vgs	Maximum of 48 nC @ 4.5 V
Voltage, Breakdown, Drain to Source	55 V
Width	0 in