Siliconix / Vishay SI4435DDY-T1-GE3
MOSFET, Power,P-Ch,VDSS -30V,RDS(ON) 0.015Ohm,ID -7A,SO-8,PD 1.5W,VGS+/-20V,-55Cنحن سعداء بتقديم منتجات Siliconix / Vishay لعملائنا مع خدمة التسليم إلى بلدانكم. يُرجى التواصل معنا للحصول على معلومات مفصلة حول التسعير وأوقات التسليم. يُرجى إرسال معلومات طلبك، بما في ذلك رموز المنتج والتفاصيل التي ترغب فيها، إلى عنوان البريد الإلكتروني [email protected].
لدينا مجموعة واسعة من منتجات Siliconix / Vishay ونماذج أخرى في مجموعتنا. إذا لم تتمكن من العثور على النموذج الذي تبحث عنه، يمكنك إرسال بريد إلكتروني أو ملء نموذج طلب العرض. نحن نقدم فقط المنتجات الأصلية أو الجديدة.
يمكنك العثور على معلومات مفصلة حول المنتج Siliconix / Vishay SI4435DDY-T1-GE3 على هذه الصفحة. تُعرف علامة Siliconix / Vishay بأجزائها عالية الجودة المستخدمة في مجموعة متنوعة من الصناعات. يحتوي الموقع على نماذج مختلفة من Siliconix / Vishay، مما يوفر خيارات تلبي احتياجاتك.
يرجى الاتصال بنا لطلب المنتج Siliconix / Vishay SI4435DDY-T1-GE3 أو لمعرفة المزيد من التفاصيل. نحن سعداء بتأكيد المنتج أو مساعدتك في استعراض النماذج الأخرى.
لا تتردد في التواصل معنا. نحن هنا لتوصيل القطعة الصحيحة بأمان. رضا العملاء وجودة المنتج هي أولويتنا. نحن هنا لتقديم أفضل خدمة لك.
Siliconix / Vishay SI4435DDY-T1-GE3 Specifications
| Property | Value |
|---|---|
| Channel Type | P |
| Configuration | Quad Drain ; Triple Source |
| Dimensions | 5 x 4 x 1.55 mm |
| Drain Current | -6.5 A |
| Drain to Source On Resistance | 0.035 Ohms |
| Drain to Source Voltage | -30 V |
| Forward Transconductance | 24 S |
| Forward Voltage, Diode | -0.8 V |
| Gate to Source Voltage | ±20 V |
| Height | 0.061" (1.55mm) |
| Input Capacitance | 1350 pF @ -15 V |
| Length | 0.196 in |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Number of Pins | 8 |
| Package Type | SO-8 |
| Polarization | P-Channel |
| Power Dissipation | 1.5 W |
| Product Header | TrenchFET® Power MOSFET |
| Series | SI44 Series |
| Temperature Operating Range | -55 to +150 °C |
| Total Gate Charge | 70 nC |
| Turn Off Delay Time | 110 ns |
| Turn On Delay Time | 10 ns |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 32 nC @ -15 V |
| Voltage, Breakdown, Drain to Source | -30 V |
| Width | 0 in |