Siliconix / Vishay SI4922BDY-T1-E3

MOSFET; Dual N-Channel 30-V (D-S)

نحن سعداء بتقديم منتجات Siliconix / Vishay لعملائنا مع خدمة التسليم إلى بلدانكم. يُرجى التواصل معنا للحصول على معلومات مفصلة حول التسعير وأوقات التسليم. يُرجى إرسال معلومات طلبك، بما في ذلك رموز المنتج والتفاصيل التي ترغب فيها، إلى عنوان البريد الإلكتروني [email protected].

لدينا مجموعة واسعة من منتجات Siliconix / Vishay ونماذج أخرى في مجموعتنا. إذا لم تتمكن من العثور على النموذج الذي تبحث عنه، يمكنك إرسال بريد إلكتروني أو ملء نموذج طلب العرض. نحن نقدم فقط المنتجات الأصلية أو الجديدة.

يمكنك العثور على معلومات مفصلة حول المنتج Siliconix / Vishay SI4922BDY-T1-E3 على هذه الصفحة. تُعرف علامة Siliconix / Vishay بأجزائها عالية الجودة المستخدمة في مجموعة متنوعة من الصناعات. يحتوي الموقع على نماذج مختلفة من Siliconix / Vishay، مما يوفر خيارات تلبي احتياجاتك.

يرجى الاتصال بنا لطلب المنتج Siliconix / Vishay SI4922BDY-T1-E3 أو لمعرفة المزيد من التفاصيل. نحن سعداء بتأكيد المنتج أو مساعدتك في استعراض النماذج الأخرى.

لا تتردد في التواصل معنا. نحن هنا لتوصيل القطعة الصحيحة بأمان. رضا العملاء وجودة المنتج هي أولويتنا. نحن هنا لتقديم أفضل خدمة لك.

Siliconix / Vishay SI4922BDY-T1-E3 Specifications

Property	Value
Channel Type	N
Configuration	Dual Gate ; Dual Source ; Quad Drain
Dimensions	5 x 4 x 1.55 mm
Drain Current	8 A
Drain to Source On Resistance	0.024 Ohms
Drain to Source Voltage	30 V
Forward Transconductance	30 S
Forward Voltage, Diode	1.2 V
Gate to Source Voltage	±12 V
Height	0.061" (1.55mm)
Input Capacitance	2070 pF @ 15 V
Junction to Ambient Thermal Resistance	50 °C/W
Length	0.196 in
Maximum Operating Temperature	+150 °C
Minimum Operating Temperature	-50 °C
Mounting Type	Surface Mount
Number of Elements per Chip	2
Number of Pins	8
Operating Temperature	-50 to 150 °C
Package Type	SO-8
Polarization	N-Channel
Power Dissipation	3.1 W
Series	SI49 Series
Temperature Operating Range	-50 to +150 °C
Total Gate Charge	41 nC
Turn Off Delay Time	68 ns
Turn On Delay Time	13 ns
Typical Gate Charge @ Vgs	41 nC @ 10 V
Voltage, Breakdown, Drain to Source	30 V
Width	0 in