Siliconix / Vishay SIHG73N60E-GE3

SiHG73N60E-GE3 N-channel MOSFET Transistor, 73 A, 600 V, 3-Pin TO-247AC

نحن سعداء بتقديم منتجات Siliconix / Vishay لعملائنا مع خدمة التسليم إلى بلدانكم. يُرجى التواصل معنا للحصول على معلومات مفصلة حول التسعير وأوقات التسليم. يُرجى إرسال معلومات طلبك، بما في ذلك رموز المنتج والتفاصيل التي ترغب فيها، إلى عنوان البريد الإلكتروني [email protected].

لدينا مجموعة واسعة من منتجات Siliconix / Vishay ونماذج أخرى في مجموعتنا. إذا لم تتمكن من العثور على النموذج الذي تبحث عنه، يمكنك إرسال بريد إلكتروني أو ملء نموذج طلب العرض. نحن نقدم فقط المنتجات الأصلية أو الجديدة.

يمكنك العثور على معلومات مفصلة حول المنتج Siliconix / Vishay SIHG73N60E-GE3 على هذه الصفحة. تُعرف علامة Siliconix / Vishay بأجزائها عالية الجودة المستخدمة في مجموعة متنوعة من الصناعات. يحتوي الموقع على نماذج مختلفة من Siliconix / Vishay، مما يوفر خيارات تلبي احتياجاتك.

يرجى الاتصال بنا لطلب المنتج Siliconix / Vishay SIHG73N60E-GE3 أو لمعرفة المزيد من التفاصيل. نحن سعداء بتأكيد المنتج أو مساعدتك في استعراض النماذج الأخرى.

لا تتردد في التواصل معنا. نحن هنا لتوصيل القطعة الصحيحة بأمان. رضا العملاء وجودة المنتج هي أولويتنا. نحن هنا لتقديم أفضل خدمة لك.

Siliconix / Vishay SIHG73N60E-GE3 Specifications

Property	Value
Channel Type	N
Configuration	Single
Dimensions	15.87 x 5.31 x 20.82 mm
Drain Current	73 A
Drain to Source On Resistance	0.039 Ohms
Drain to Source Voltage	600 V
Fall Time	180 ns
Forward Transconductance	12 S
Forward Voltage, Diode	1.2 V
Gate to Source Voltage	±20 V
Height	0.82" (20.82mm)
Input Capacitance	7700 pF @ 100 V
Junction to Ambient Thermal Resistance	40 °C/W
Length	0.625 in
Maximum Operating Temperature	+150 °C
Minimum Operating Temperature	-55 °C
Mounting Type	Through Hole
Number of Elements per Chip	1
Number of Pins	3
Operating and Storage Temperature	-55 to 150 C
Package Type	TO-247AC
Polarization	N-Channel
Power Dissipation	520 W
Resistance, Thermal, Junction to Case	0.24 °C/W
Temperature Operating Range	-55 to +150 °C
Total Gate Charge	48 nC
Turn Off Delay Time	290 ns
Turn On Delay Time	63 ns
Typical Gate Charge @ Vgs	241 nC @ 10 V
Voltage, Breakdown, Drain to Source	600 V
Width	0 in