- الصفحة الرئيسية
- علامة تجارية
- Vishay PCS
- IRFD9120PBF
Vishay PCS IRFD9120PBF
Vishay PCS IRFD9120PBF
MOSFET, Power,P-Ch,VDSS -100V,RDS(ON) 0.6Ohm,ID -1A,HD-1,PD 1.3W,VGS +/-20V,-55Cنحن سعداء بتقديم منتجات Vishay PCS لعملائنا مع خدمة التسليم إلى بلدانكم. يُرجى التواصل معنا للحصول على معلومات مفصلة حول التسعير وأوقات التسليم. يُرجى إرسال معلومات طلبك، بما في ذلك رموز المنتج والتفاصيل التي ترغب فيها، إلى عنوان البريد الإلكتروني [email protected].
لدينا مجموعة واسعة من منتجات Vishay PCS ونماذج أخرى في مجموعتنا. إذا لم تتمكن من العثور على النموذج الذي تبحث عنه، يمكنك إرسال بريد إلكتروني أو ملء نموذج طلب العرض. نحن نقدم فقط المنتجات الأصلية أو الجديدة.
يمكنك العثور على معلومات مفصلة حول المنتج Vishay PCS IRFD9120PBF على هذه الصفحة. تُعرف علامة Vishay PCS بأجزائها عالية الجودة المستخدمة في مجموعة متنوعة من الصناعات. يحتوي الموقع على نماذج مختلفة من Vishay PCS، مما يوفر خيارات تلبي احتياجاتك.
يرجى الاتصال بنا لطلب المنتج Vishay PCS IRFD9120PBF أو لمعرفة المزيد من التفاصيل. نحن سعداء بتأكيد المنتج أو مساعدتك في استعراض النماذج الأخرى.
لا تتردد في التواصل معنا. نحن هنا لتوصيل القطعة الصحيحة بأمان. رضا العملاء وجودة المنتج هي أولويتنا. نحن هنا لتقديم أفضل خدمة لك.
Vishay PCS IRFD9120PBF Specifications
Property | Value |
---|---|
Channel Type | P |
Configuration | Single |
Dimensions | 6.29 x 5 x 3.37 mm |
Drain Current | -0.7 A |
Drain to Source On Resistance | 0.6 Ohms |
Drain to Source Voltage | -100 V |
Forward Transconductance | 0.71 S |
Forward Voltage, Diode | -6.3 V |
Gate to Source Voltage | +/-20 V |
Height | 0.133" (3.37mm) |
Input Capacitance | 390 pF @ -25 V |
Length | 0.247 in |
Maximum Operating Temperature | +175 °C |
Minimum Operating Temperature | -55 °C |
Mounting Type | Through Hole |
Number of Elements per Chip | 1 |
Number of Pins | 4 |
Package Type | HVMDIP |
Polarization | P-Channel |
Power Dissipation | 1.3 W |
Product Header | Hexfet® Power MOSFET |
Series | IRF Series |
Temperature Operating Range | -55 to +175 °C |
Total Gate Charge | 18 nC |
Turn Off Delay Time | 21 ns |
Turn On Delay Time | 9.6 ns |
Typical Gate Charge @ Vgs | Maximum of 18 nC @ -10 V |
Voltage, Breakdown, Drain to Source | -100 V |
Width | 0 in |