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General Semiconductor / Vishay 1N5401-E3/54
General Semiconductor / Vishay 1N5401-E3/54
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General Semiconductor / Vishay 1N5401-E3/54 Specifications
Property | Value |
---|---|
Configuration | Single |
Continuous Forward Current | 3 A |
Diameter | 5.3 mm |
Dimensions | 5.3 Dia. x 9.5 L mm |
Diode Type | General Purpose Rectifier |
Forward Voltage | 1.2 V |
Junction Capacitance | 30 pF |
Junction to Ambient Thermal Resistance | 20 °C/W |
Length | 0.374 in |
Maximum Operating Temperature | +150 °C |
Minimum Operating Temperature | -50 °C |
Mounting Type | Through Hole |
Non Repetitive On State Peak Current | 200 A |
Number of Pins | 2 |
Operating Temperature | –50 to +150 °C |
Package Type | DO-201AD |
Peak Current | 500 μA |
Primary Type | Rectifier |
Repetitive Peak Voltage | 100 V |
Series | 1N5401 Series |
Surge Current | 200 A |
Temperature Operating Range | -50 to +150 °C |