General Semiconductor / Vishay 1N5402-E3/54
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General Semiconductor / Vishay 1N5402-E3/54 Specifications
| Property | Value |
|---|---|
| Configuration | Single |
| Continuous Forward Current | 3 A |
| Diameter | 5.3 mm |
| Dimensions | 5.3 Dia. x 9.5 L mm |
| Diode Type | General Purpose Rectifier |
| Forward Voltage | 1.2 V |
| Junction Capacitance | 30 pF |
| Junction to Ambient Thermal Resistance | 20 °C/W |
| Length | 0.374 in |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Minimum Operating Temperature | -50 °C |
| Mounting Type | Through Hole |
| Non Repetitive On State Peak Current | 200 A |
| Number of Pins | 2 |
| Operating Temperature | –50 to +150 °C |
| Package Type | DO-201AD |
| Peak Current | 500 μA |
| Primary Type | Rectifier |
| Repetitive Peak Voltage | 200 V |
| Series | 1N5402 Series |
| Surge Current | 200 A |
| Temperature Operating Range | -50 to +150 °C |