Infineon IRFB3077PBF
MOSFET, Power,N-Ch,VDSS 75V,RDS(ON) 2.8 Milliohms,ID 210A,TO-220AB,PD 370W,-55CWir freuen uns, unseren Kunden Infineon Produkte mit Lieferung in ihre jeweiligen Länder anbieten zu können. Bitte kontaktieren Sie uns für detaillierte Informationen zu Preisen und Lieferzeiten. In Ihrer Anfrage senden Sie bitte Informationen mit Produktcodes und spezifischen Details an unsere [email protected]-Adresse.
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Infineon IRFB3077PBF Specifications
| Property | Value |
|---|---|
| Alternate Mfr Part Number | 6504716 |
| Channel Type | N |
| Configuration | Single |
| Dimensions | 10.67 x 4.83 x 16.51 |
| Drain Current | 210 A |
| Drain to Source Voltage | 75 V |
| Forward Transconductance | 160 sec |
| Forward Voltage, Diode | 1.3 V |
| Gate to Source Voltage | ±20 V |
| Length | 0.42 in |
| Maximum Operating Temperature | +175 °C |
| Mounting Type | Through Hole |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Number of Pins | 3 |
| Package Type | TO-220AB |
| Polarization | N-Channel |
| Product Header | Hexfet® Power MOSFET |
| Series | HEXFET Series |
| Total Gate Charge | 160 nC |
| Turn On Delay Time | 25 ns |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 160 nC @ 10 V |
| Voltage, Breakdown, Drain to Source | 75 V |