Infineon IRG4BH20K-SPBF

IGBT, Discrete, 1200V, 11A, UltraFast, 4-20 KHz, D2-PAK

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Infineon IRG4BH20K-SPBF Specifications

Property	Value
Collector Current	11 A
Collector to Emitter Shorted Voltage	1200 V
Energy Rating	130 mJ
Gate Capacitance	435 pF
Package Type	D2Pak
Polarity	N-Channel
Power Dissipation	60 W
Product Header	Short Circuit Rated Ultrafast N-Channel IGBT
Resistance, Thermal, Junction to Case	2.1 °C/W
Switching Speed	4 to 20 kHz
Transistor Type	NPN
Type	Ultrafast
Voltage, Collector to Emitter, Saturation	4.04 V