NTE Electronics, Inc. NTE123
NTE Electronics, Inc. NTE123
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NTE Electronics, Inc. NTE123 Specifications
Property | Value |
---|---|
Collector Current | 800 mA |
Collector to Base Voltage | 75 V |
Collector to Emitter Voltage | 40 V |
Configuration | Common Base |
Continuous Collector Current | 800 mA |
Device Dissipation | 800 mW |
Diameter | 9.39 mm |
Dimensions | 9.39 Dia. x 6.6 H mm |
Emitter to Base Voltage | 6 V |
Height | 0.26" (6.6mm) |
Material | Si |
Maximum Operating Temperature | +200 °C |
Minimum DC Current Gain | 40 @ 500 mA |
Minimum Operating Temperature | -65 °C |
Mounting Type | Through Hole |
Number of Elements per Chip | 1 |
Number of Pins | 3 |
Operating Frequency | 300 MHz |
Package Type | TO-39 |
Polarity | NPN |
Power Dissipation | 800 mW |
Primary Type | Si |
Product Header | Silicon NPN Transistor |
Series | Transistor Series |
Temperature Operating Range | -65 to +200 °C |
Temperature Range, Junction, Operating | -65 to +200 C |
Transistor Polarity | NPN |
Transistor Type | NPN |
Type | Audio Amplifier, Switch |
UPC Code | 768249021414 |
Voltage, Breakdown, Collector to Emitter | 40 V |
Voltage, Collector to Emitter, Saturation | 1 V |
Voltage, Saturation, Base to Emitter | 2 V |