NTE Electronics, Inc. NTE129
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NTE Electronics, Inc. NTE129 Specifications
| Property | Value |
|---|---|
| Collector Current | 1 A |
| Collector to Base Voltage | 80 V |
| Collector to Emitter Voltage | 80 V |
| Configuration | Common Base |
| Continuous Collector Current | 1 A |
| Device Dissipation | 1.25 W |
| Diameter | 9.39 mm |
| Dimensions | 9.39 Dia. x 6.6 H mm |
| Emitter to Base Voltage | 5 V |
| Height | 0.26" (6.6mm) |
| Material | Si |
| Material Type | Silicon |
| Maximum Operating Temperature | +200 °C |
| Minimum DC Current Gain | 25 |
| Minimum Operating Temperature | -65 °C |
| Mounting Type | Through Hole |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Number of Pins | 3 |
| Operating Frequency | 100 to 400 MHz |
| Package Type | TO-39 |
| Polarity | PNP |
| Power Dissipation | 1.25 W |
| Primary Type | Si |
| Product Header | Silicon Complementary Transistor |
| Resistance, Thermal, Junction to Case | 20 °C/W |
| Series | Transistor Series |
| Temperature Operating Range | -65 to +200 °C |
| Temperature Range, Junction, Operating | -65 to +200 C |
| Transistor Polarity | PNP |
| Transistor Type | PNP |
| Type | Amplifier, Driver, Switch |
| UPC Code | 768249026211 |
| Voltage, Breakdown, Collector to Emitter | 80 V |
| Voltage, Collector to Emitter, Saturation | 0.5 V |
| Voltage, Saturation, Base to Emitter | 0.9 V |
| Voltage, Saturation, Collector to Emitter | 0.15 V |