NTE Electronics, Inc. NTE214
NTE Electronics, Inc. NTE214
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NTE Electronics, Inc. NTE214 Specifications
Property | Value |
---|---|
Collector Current | 10 A |
Collector to Base Voltage | 70 V |
Collector to Emitter Voltage | 60 V |
Configuration | Common Base |
Dimensions | 15.62 x 4.82 x 20.0 mm |
Emitter to Base Voltage | 6 V |
Height | 0.787" (20mm) |
Input Voltage | 6 V |
Length | 0.614 in |
Material | Si |
Maximum Operating Temperature | +150 °C |
Minimum Operating Temperature | -55 °C |
Mounting Type | Through Hole |
Number of Elements per Chip | 2 |
Number of Pins | 3 |
Output Current | 10 A |
Output Voltage | 60 VDC |
Package Type | TO-3P |
Polarity | NPN |
Power Dissipation | 600 W |
Primary Type | Si |
Product Header | NPN Darlington Silicon Transistor |
Series | Transistor Series |
Temperature Operating Range | -55 to +150 °C |
Transistor Type | NPN |
Type | Driver, High DC Current Gain |
UPC Code | 768249104711 |
Voltage, Collector to Emitter, Saturation | 1.5 V |
Voltage, Saturation, Base to Emitter | 2 V |
Width | 0 in |