ON Semiconductor BAS21AHT1G
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ON Semiconductor BAS21AHT1G Specifications
| Property | Value |
|---|---|
| Configuration | Single |
| Dimensions | 1.8 x 1.35 x 1 mm |
| Diode Capacitance | 5 pF |
| Forward Current | 200 mA |
| Forward Voltage | 1.25 V |
| Frequency Range | 1 MHz |
| Height | 0.039" (1mm) |
| Junction Capacitance | 5 pF |
| Length | 0.07 in |
| Maximum Junction Temperature | +150 °C |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Number of Pins | 2 |
| Operating Temperature | -55 to +150 °C |
| Package Type | SOD-323 |
| Power Dissipation | 200 mW |
| Primary Type | Schottky Barrier |
| Product Header | Low Leakage Switching Diode |
| Recovery Time | 50 ns |
| Reverse Voltage | 250 V |
| Series | BAS Series |
| Surge Current | 625 mA |
| Switching Speed | Switching |
| Temperature Operating Range | -55 to +150 °C |
| Width | 0.053 in |