ON Semiconductor BAV74LT1G
Diode,Schottky Barrier,Switching,Vr 50VDC,If 200mA,Pkg SOT-23 (TO-236),Vf 1VDCWir freuen uns, unseren Kunden ON Semiconductor Produkte mit Lieferung in ihre jeweiligen Länder anbieten zu können. Bitte kontaktieren Sie uns für detaillierte Informationen zu Preisen und Lieferzeiten. In Ihrer Anfrage senden Sie bitte Informationen mit Produktcodes und spezifischen Details an unsere [email protected]-Adresse.
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ON Semiconductor BAV74LT1G Specifications
| Property | Value |
|---|---|
| Configuration | Dual Anode |
| Dimensions | 3.04 x 1.4 x 1.01 mm |
| Diode Capacitance | 2 pF |
| Forward Current | 200 mA |
| Forward Voltage | 1 V |
| Frequency Range | 1 MHz |
| Height | 0.04" (1.01mm) |
| Junction Capacitance | 2 pF |
| Length | 0.119 in |
| Maximum Junction Temperature | +150 °C |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Number of Pins | 3 |
| Operating Temperature | -55 to +150 °C |
| Package Type | SOT-23, TO-236 |
| Power Dissipation | 300 mW |
| Primary Type | Schottky Barrier |
| Product Header | Monolithic Dual Switching Diode |
| Recovery Time | 4 ns |
| Reverse Voltage | 50 V |
| Series | BAV Series |
| Surge Current | 500 mA |
| Switching Speed | Switching |
| Temperature Operating Range | -55 to +150 °C |
| Width | 0.055 in |