ON Semiconductor MBRS360T3G
Diode,Schottky Barrier,Vr 60V,If 4A,Pkg SMC,Vf 0.74V,Tj +175degc,Cs 125A,Ir 10mAWir freuen uns, unseren Kunden ON Semiconductor Produkte mit Lieferung in ihre jeweiligen Länder anbieten zu können. Bitte kontaktieren Sie uns für detaillierte Informationen zu Preisen und Lieferzeiten. In Ihrer Anfrage senden Sie bitte Informationen mit Produktcodes und spezifischen Details an unsere [email protected]-Adresse.
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ON Semiconductor MBRS360T3G Specifications
| Property | Value |
|---|---|
| Configuration | Single |
| Continuous Forward Current | 4 A |
| Dimensions | 7.11 x 6.1 x 2.41 mm |
| Diode Type | Schottky Barrier |
| Forward Voltage | 0.74 V |
| Height | 0.095" (2.41mm) |
| Length | 0.279 in |
| Maximum Junction Temperature | +175 °C |
| Maximum Operating Temperature | +175 °C |
| Minimum Operating Temperature | -65 °C |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Non Repetitive On State Peak Current | 125 A |
| Number of Pins | 2 |
| Operating Temperature | -65 to +175 °C |
| Package Type | SMC |
| Peak Current | 150 μA |
| Primary Type | Schottky Barrier |
| Product Header | Surface Mount Schottky Power Rectifier |
| Rectifier Type | Free-Wheeling Diode ; High Frequency ; Low Voltage ; Polarit |
| Repetitive Peak Voltage | 60 V |
| Reverse Current | 10 mA |
| Series | MBR Series |
| Surge Current | 125 A |
| Temperature Operating Range | -65 to +175 °C |
| Width | 0 in |