SEMIKRON SEMIX251GD126HDS
IGBT, 1200 V, 250 A @ 25 DegC, 260 A @ 80 DegC, 1.7 V @ 25 degCWir freuen uns, unseren Kunden SEMIKRON Produkte mit Lieferung in ihre jeweiligen Länder anbieten zu können. Bitte kontaktieren Sie uns für detaillierte Informationen zu Preisen und Lieferzeiten. In Ihrer Anfrage senden Sie bitte Informationen mit Produktcodes und spezifischen Details an unsere [email protected]-Adresse.
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SEMIKRON SEMIX251GD126HDS Specifications
| Property | Value |
|---|---|
| Channel Type | N |
| Collector Current | 242 A |
| Collector to Emitter Shorted Voltage | 1200 V |
| Collector to Emitter Voltage | 1200 V |
| Configuration | Array |
| Continuous Collector Current | 242 A |
| Dimensions | 149.5 x 63.5 x 17 mm |
| Energy Rating | 41 mJ |
| Gate Capacitance | 10.8 nF |
| Gate to Emitter Voltage | 20 V |
| Height | 0.669" (17mm) |
| Length | 5.885" (149.5mm) |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Minimum Operating Temperature | -40 °C |
| Mounting Type | Screw |
| Number of Pins | 20 |
| Package Type | SEMIX 13 |
| Polarity | N-Channel |
| Primary Type | Si |
| Product Header | Trench N-Channel IGBT Module |
| Resistance, Thermal, Junction to Case | 0.15 K/W |
| Series | IGBT Series |
| Temperature Operating Range | -40 to +150 °C |
| Transistor Type | IGBT |
| Type | Trench |
| Width | 2.5" (63.5mm) |