SEMIKRON SKM300GB125D
IGBT, 1200 V, 300 A @ DegC, 20 V, Case D 56Wir freuen uns, unseren Kunden SEMIKRON Produkte mit Lieferung in ihre jeweiligen Länder anbieten zu können. Bitte kontaktieren Sie uns für detaillierte Informationen zu Preisen und Lieferzeiten. In Ihrer Anfrage senden Sie bitte Informationen mit Produktcodes und spezifischen Details an unsere [email protected]-Adresse.
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SEMIKRON SKM300GB125D Specifications
| Property | Value |
|---|---|
| Channel Type | N |
| Collector Current | 300 A |
| Collector to Emitter Resistance | 9 Milliohms (Typ.) |
| Collector to Emitter Shorted Voltage | 1200 V |
| Collector to Emitter Voltage | 1200 V |
| Configuration | Dual |
| Continuous Collector Current | 300 A |
| Dimensions | 106.4 x 61.4 x 30.5 mm |
| Energy Rating | 16 mJ |
| Gate Capacitance | 18 nF |
| Gate to Emitter Voltage | +/-20 V |
| Height | 1.201" (30.5mm) |
| Input Capacitance | 18 nF (Typ.) |
| Length | 4.188 in |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Minimum Operating Temperature | -40 °C |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Number of Pins | 7 |
| Package Type | D 56 |
| Polarity | N-Channel |
| Primary Type | Si |
| Product Header | Ultrafast N-Channel IGBT Module |
| Resistance, Thermal, Junction to Case | 0.075 K/W |
| Series | IGBT Series |
| Temperature Operating Range | -40 to +150 °C |
| Transistor Type | IGBT |
| Turn Off Time | 460 ns |
| Turn On Time | 130 ns |
| Type | Ultrafast |
| Width | 0 in |