SEMIKRON SKM400GB12E4
IGBT, D-56, IGBT, 565 A (Typ.), 1200 V, 0.16 K/WWir freuen uns, unseren Kunden SEMIKRON Produkte mit Lieferung in ihre jeweiligen Länder anbieten zu können. Bitte kontaktieren Sie uns für detaillierte Informationen zu Preisen und Lieferzeiten. In Ihrer Anfrage senden Sie bitte Informationen mit Produktcodes und spezifischen Details an unsere [email protected]-Adresse.
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SEMIKRON SKM400GB12E4 Specifications
| Property | Value |
|---|---|
| Channel Type | N |
| Collector Current | 565 A |
| Collector to Emitter Shorted Voltage | 1200 V |
| Collector to Emitter Voltage | 1200 V |
| Configuration | Dual |
| Continuous Collector Current | 616 A |
| Dimensions | 106.4 x 61.4 x 30.5 mm |
| Energy Rating | 63 mJ |
| Fall Time | 60 ns |
| Gate Capacitance | 26 nF |
| Gate to Emitter Voltage | 20 V |
| Height | 1.201" (30.5mm) |
| Length | 4.188 in |
| Maximum Operating Temperature | +175 °C |
| Minimum Operating Temperature | -40 °C |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Number of Pins | 7 |
| Operating and Storage Temperature | -40 to 150°C (Operating), -40 to 125°C (Storage) |
| Package Type | Semitrans3 |
| Polarity | N-Channel |
| Primary Type | Si |
| Product Header | SPT N-Channel IGBT Module |
| Resistance, Thermal, Junction to Case | 0.055 K/W |
| Rise Time | 60 |
| Series | IGBT Series |
| Switching Speed | 12 kHz |
| Temperature Operating Range | -40 to +175 °C |
| Transistor Type | IGBT |
| Type | SPT |
| Voltage, Breakdown, Collector to Emitter | 1200 V |
| Voltage, Saturation, Collector to Emitter | 1200 V |
| Width | 0 in |