Siliconix / Vishay SI4850EY-T1-E3
Power MOSFET,N-Ch,VDSS 60V,RDS(ON) 0.018Ohm,ID 6A,SO-8,PD 1.7W,VGS+/-20V,gFS 25SWir freuen uns, unseren Kunden Siliconix / Vishay Produkte mit Lieferung in ihre jeweiligen Länder anbieten zu können. Bitte kontaktieren Sie uns für detaillierte Informationen zu Preisen und Lieferzeiten. In Ihrer Anfrage senden Sie bitte Informationen mit Produktcodes und spezifischen Details an unsere [email protected]-Adresse.
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Siliconix / Vishay SI4850EY-T1-E3 Specifications
| Property | Value |
|---|---|
| Channel Type | N |
| Configuration | Quad Drain ; Triple Source |
| Dimensions | 5 x 4 x 1.55 mm |
| Drain Current | 7.2 A |
| Drain to Source On Resistance | 0.047 Ohms |
| Drain to Source Voltage | 60 V |
| Forward Transconductance | 25 S |
| Forward Voltage, Diode | 0.8 V |
| Gate to Source Voltage | ±20 V |
| Height | 0.061" (1.55mm) |
| Length | 0.196 in |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Number of Pins | 8 |
| Package Type | SO-8 |
| Polarization | N-Channel |
| Power Dissipation | 1.7 W |
| Product Header | TrenchFET® Power MOSFET |
| Series | SI48 Series |
| Temperature Operating Range | -55 to +150 °C |
| Total Gate Charge | 18 nC |
| Turn Off Delay Time | 25 ns |
| Turn On Delay Time | 10 ns |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 18 nC @ 13 V |
| Voltage, Breakdown, Drain to Source | 60 V |
| Width | 0 in |