Siliconix / Vishay SI4850EY-T1-E3

Power MOSFET,N-Ch,VDSS 60V,RDS(ON) 0.018Ohm,ID 6A,SO-8,PD 1.7W,VGS+/-20V,gFS 25S

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Siliconix / Vishay SI4850EY-T1-E3 Specifications

Property	Value
Channel Type	N
Configuration	Quad Drain ; Triple Source
Dimensions	5 x 4 x 1.55 mm
Drain Current	7.2 A
Drain to Source On Resistance	0.047 Ohms
Drain to Source Voltage	60 V
Forward Transconductance	25 S
Forward Voltage, Diode	0.8 V
Gate to Source Voltage	±20 V
Height	0.061" (1.55mm)
Length	0.196 in
Maximum Operating Temperature	+150 °C
Minimum Operating Temperature	-55 °C
Mounting Type	Surface Mount
Number of Elements per Chip	1
Number of Pins	8
Package Type	SO-8
Polarization	N-Channel
Power Dissipation	1.7 W
Product Header	TrenchFET® Power MOSFET
Series	SI48 Series
Temperature Operating Range	-55 to +150 °C
Total Gate Charge	18 nC
Turn Off Delay Time	25 ns
Turn On Delay Time	10 ns
Typical Gate Charge @ Vgs	18 nC @ 13 V
Voltage, Breakdown, Drain to Source	60 V
Width	0 in