Siliconix / Vishay SI1012X-T1-GE3
MOSFET,Power;N-Ch;VDSS 20V;RDS(ON) 0.41Ohm;ID 500mA;SC-89 (SOT-490);HalogeenfreeWir freuen uns, unseren Kunden Siliconix / Vishay Produkte mit Lieferung in ihre jeweiligen Länder anbieten zu können. Bitte kontaktieren Sie uns für detaillierte Informationen zu Preisen und Lieferzeiten. In Ihrer Anfrage senden Sie bitte Informationen mit Produktcodes und spezifischen Details an unsere [email protected]-Adresse.
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Siliconix / Vishay SI1012X-T1-GE3 Specifications
| Property | Value |
|---|---|
| Channel Type | N |
| Configuration | Single |
| Dimensions | 1.7 x 0.95 x 0.8 mm |
| Drain Current | 500 mA |
| Drain to Source On Resistance | 1.25 Ohms |
| Drain to Source Voltage | 20 V |
| Forward Transconductance | 1 S |
| Forward Voltage, Diode | 1.2 V |
| Gate to Source Voltage | ±6 V |
| Height | 0.031" (0.8mm) |
| Length | 0.066 in |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Number of Pins | 3 |
| Package Type | SC-89 |
| Power Dissipation | 250 mW |
| Series | SI10 Series |
| Temperature Operating Range | -55 to +150 °C |
| Turn Off Delay Time | 25 ns |
| Turn On Delay Time | 5 ns |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 750 nC @ 4.5 V |
| Width | 0.037 in |