- Startseite
- Marken
- Siliconix / Vishay
- SI6954ADQ-T1-E3
Siliconix / Vishay SI6954ADQ-T1-E3
Siliconix / Vishay SI6954ADQ-T1-E3
MOSFET; 30V Dual N-Channel 2.5V Rated TrenchWir freuen uns, unseren Kunden Siliconix / Vishay Produkte mit Lieferung in ihre jeweiligen Länder anbieten zu können. Bitte kontaktieren Sie uns für detaillierte Informationen zu Preisen und Lieferzeiten. In Ihrer Anfrage senden Sie bitte Informationen mit Produktcodes und spezifischen Details an unsere [email protected]-Adresse.
Unser Produktsortiment umfasst eine Vielzahl von Siliconix / Vishay-Optionen und anderen Modellen. Falls Sie das gesuchte Modell nicht finden können, können Sie uns eine E-Mail senden oder das Angebot anfordern Formular ausfüllen. Unser Unternehmen bietet ausschließlich originale oder neue Produkte an. Wenn Sie spezielle Anfragen in dieser Hinsicht haben, zögern Sie bitte nicht, uns zu kontaktieren.
Auf dieser Seite finden Sie detaillierte Informationen zum Produkt Siliconix / Vishay SI6954ADQ-T1-E3. Die Marke Siliconix / Vishay ist bekannt für ihre hochwertigen Teile, die in verschiedenen Branchen verwendet werden. Die Website bietet verschiedene Modelle von Siliconix / Vishay-Produkten, die Optionen bieten, die auf Ihre Bedürfnisse zugeschnitten sind.
Bitte kontaktieren Sie uns, um eine Bestellung für das Produkt Siliconix / Vishay SI6954ADQ-T1-E3 aufzugeben oder weitere Details zu erfahren. Wir helfen Ihnen gerne beim Überprüfen des Produkts oder bei der Erkundung anderer Modelle.
Zögern Sie nicht, uns zu kontaktieren. Wir sind hier, um das richtige Teil auf die zuverlässigste Weise zu liefern. Kundenzufriedenheit und Produktqualität haben für uns oberste Priorität. Wir sind hier, um Ihnen den besten Service zu bieten.
Siliconix / Vishay SI6954ADQ-T1-E3 Specifications
Property | Value |
---|---|
Channel Type | N |
Configuration | Dual Drain ; Dual Gate ; Quad |
Dimensions | 4.5 x 3.1 x 1.05 mm |
Drain Current | 3.1 A |
Drain to Source On Resistance | 0.075 Ohms |
Drain to Source Voltage | 30 V |
Forward Transconductance | 10 S |
Forward Voltage, Diode | 1.2 V |
Gate to Source Voltage | ±20 V |
Height | 0.041" (1.05mm) |
Junction to Ambient Thermal Resistance | 126 °C/W |
Length | 0.177 in |
Maximum Operating Temperature | +150 °C |
Minimum Operating Temperature | -55 °C |
Mounting Type | Surface Mount |
Number of Elements per Chip | 2 |
Number of Pins | 8 |
Operating Temperature | -55 to 150 °C |
Package Type | TSSOP |
Polarization | N-Channel |
Power Dissipation | 0.83 W |
Series | SI69 Series |
Temperature Operating Range | -55 to +150 °C |
Total Gate Charge | 8 nC |
Turn Off Delay Time | 23 ns |
Turn On Delay Time | 12 ns |
Typical Gate Charge @ Vgs | 8 nC @ 10 V |
Voltage, Breakdown, Drain to Source | 30 V |
Width | 0 in |