Siliconix / Vishay SI7415DN-T1-E3
MOSFET, Power,P-Ch,VDSS -60V,RDS(ON) 0.054Ohm,ID -3.6A,PowerPAK 1212-8,PD 1.5WWir freuen uns, unseren Kunden Siliconix / Vishay Produkte mit Lieferung in ihre jeweiligen Länder anbieten zu können. Bitte kontaktieren Sie uns für detaillierte Informationen zu Preisen und Lieferzeiten. In Ihrer Anfrage senden Sie bitte Informationen mit Produktcodes und spezifischen Details an unsere [email protected]-Adresse.
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Siliconix / Vishay SI7415DN-T1-E3 Specifications
| Property | Value |
|---|---|
| Channel Type | P |
| Configuration | Quad Drain ; Triple Source |
| Dimensions | 3.15 x 3.15 x 1.07 mm |
| Drain Current | -2.9 A |
| Drain to Source On Resistance | 0.11 Ohms |
| Drain to Source Voltage | -60 V |
| Forward Transconductance | 11 S |
| Forward Voltage, Diode | -0.8 V |
| Gate to Source Voltage | ±20 V |
| Height | 0.042" (1.07mm) |
| Length | 0.12 in |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Number of Pins | 8 |
| Operating and Storage Temperature | -55 to +150 C |
| Package Type | PowerPAK-SO-8 |
| Polarization | P-Channel |
| Power Dissipation | 1.5 W |
| Product Header | TrenchFET® Power MOSFET |
| Series | SI74 Series |
| Temperature Operating Range | -55 to +150 °C |
| Total Gate Charge | 15 nC |
| Turn Off Delay Time | 22 ns |
| Turn On Delay Time | 12 ns |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 15 nC @ -10 V |
| Voltage, Breakdown, Drain to Source | -60 V |
| Width | 0 in |