Siliconix / Vishay SI9926BDY-T1-E3

MOSFET, Dual, N-Channel, 20V, 8.2A, 2W, SO-8

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Siliconix / Vishay SI9926BDY-T1-E3 Specifications

Property	Value
Channel Type	N
Configuration	Dual Gate ; Dual Source ; Quad Drain
Dimensions	5 x 4 x 1.55 mm
Drain Current	6.2 A
Drain to Source On Resistance	0.03 Ohms
Drain to Source Voltage	20 V
Forward Transconductance	29 S
Forward Voltage, Diode	1.2 V
Gate to Source Voltage	±12 V
Height	0.061" (1.55mm)
Junction to Ambient Thermal Resistance	90 °C/W
Length	0.196 in
Maximum Operating Temperature	+150 °C
Minimum Operating Temperature	-55 °C
Mounting Type	Surface Mount
Number of Elements per Chip	2
Number of Pins	8
Operating Temperature	-55 to 150 °C
Package Type	SO-8
Polarization	N-Channel
Power Dissipation	1.14 W
Series	SI99 Series
Temperature Operating Range	-55 to +150 °C
Total Gate Charge	11 nC
Turn Off Delay Time	31 ns
Turn On Delay Time	35 ns
Typical Gate Charge @ Vgs	11 nC @ 4.5 V
Voltage, Breakdown, Drain to Source	20 V
Width	0 in