Siliconix / Vishay SIRA06DP-T1-GE3
Semiconcuctor,Mosfet;TrenchFET;N-Channel;30V;40A;2.5mohm @ 10V;PowerPAK SO-8Wir freuen uns, unseren Kunden Siliconix / Vishay Produkte mit Lieferung in ihre jeweiligen Länder anbieten zu können. Bitte kontaktieren Sie uns für detaillierte Informationen zu Preisen und Lieferzeiten. In Ihrer Anfrage senden Sie bitte Informationen mit Produktcodes und spezifischen Details an unsere [email protected]-Adresse.
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Siliconix / Vishay SIRA06DP-T1-GE3 Specifications
| Property | Value |
|---|---|
| Channel Type | N |
| Configuration | Quad Drain ; Triple Source |
| Dimensions | 5.99 x 5 x 1.07 mm |
| Drain Current | 40 A |
| Drain to Source On Resistance | 0.0035 Ohms |
| Drain to Source Voltage | 30 V |
| Fall Time | 20 ns |
| Forward Transconductance | 105 S |
| Forward Voltage, Diode | 1.1 V |
| Gate to Source Voltage | -16, 20 V |
| Height | 0.042" (1.07mm) |
| Input Capacitance | 3595 pF @ 15 V |
| Junction to Ambient Thermal Resistance | 25 °C/W |
| Length | 0.235 in |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Number of Pins | 8 |
| Operating and Storage Temperature | -55 to 150 C |
| Package Type | PowerPAK-SO-8 |
| Polarization | N-Channel |
| Power Dissipation | 62.5 W |
| Resistance, Thermal, Junction to Case | 4.5 °C/W |
| Series | TrenchFET Series |
| Temperature Operating Range | -55 to +150 °C |
| Total Gate Charge | 22.5 nC |
| Turn Off Delay Time | 30 ns |
| Turn On Delay Time | 24 ns |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 51 nC @ 10 V |
| Voltage, Breakdown, Drain to Source | 30 V |
| Width | 0 in |