Siliconix / Vishay SUD25N15-52-E3/BKN
Siliconix SUD25N15-52-E3/BKN N-channel MOSFET Transistor,25 A,150V,3-Pin TO-252Wir freuen uns, unseren Kunden Siliconix / Vishay Produkte mit Lieferung in ihre jeweiligen Länder anbieten zu können. Bitte kontaktieren Sie uns für detaillierte Informationen zu Preisen und Lieferzeiten. In Ihrer Anfrage senden Sie bitte Informationen mit Produktcodes und spezifischen Details an unsere [email protected]-Adresse.
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Siliconix / Vishay SUD25N15-52-E3/BKN Specifications
| Property | Value |
|---|---|
| Channel Type | N |
| Configuration | Single |
| Dimensions | 6.73 x 6.22 x 2.38 mm |
| Drain Current | 25 A |
| Drain to Source On Resistance | 0.145 Ohms |
| Drain to Source Voltage | 150 V |
| Fall Time | 40 ns |
| Forward Transconductance | 40 S |
| Forward Voltage, Diode | 1.5 V |
| Gate to Source Voltage | ±20 V |
| Height | 0.094" (2.38mm) |
| Input Capacitance | 1725 pF @ 25 V |
| Junction to Ambient Thermal Resistance | 18 °C/W |
| Length | 0.264 in |
| Maximum Operating Temperature | +175 °C |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Number of Pins | 3 |
| Operating and Storage Temperature | -55 to +175 C |
| Package Type | TO-252 |
| Polarization | N-Channel |
| Power Dissipation | 136 W |
| Resistance, Thermal, Junction to Case | 1.1 °C/W |
| Series | SUD Series |
| Temperature Operating Range | -55 to +175 °C |
| Total Gate Charge | 40 nC |
| Turn Off Delay Time | 25 ns |
| Turn On Delay Time | 15 ns |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 33 nC @ 10 V |
| Voltage, Breakdown, Drain to Source | 150 V |
| Width | 0 in |