Vishay PCS IRFU430APBF
MOSFET, Power,N-Ch,VDSS 500V,RDS(ON) 1.7 Ohms,ID 5A,I-Pak,PD 110W,VGS+/-30V,-55CWir freuen uns, unseren Kunden Vishay PCS Produkte mit Lieferung in ihre jeweiligen Länder anbieten zu können. Bitte kontaktieren Sie uns für detaillierte Informationen zu Preisen und Lieferzeiten. In Ihrer Anfrage senden Sie bitte Informationen mit Produktcodes und spezifischen Details an unsere [email protected]-Adresse.
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Vishay PCS IRFU430APBF Specifications
| Property | Value |
|---|---|
| Channel Type | N |
| Configuration | Single |
| Dimensions | 6.73 x 2.39 x 6.22 mm |
| Drain Current | 5 A |
| Drain to Source On Resistance | 1.7 Ohms |
| Drain to Source Voltage | 500 V |
| Forward Transconductance | 2.3 S |
| Forward Voltage, Diode | 1.5 V |
| Gate to Source Voltage | +/-30 V |
| Height | 0.245" (6.22mm) |
| Input Capacitance | 490 pF @ 25 V |
| Length | 0.264 in |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Mounting Type | Through Hole |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Number of Pins | 3 |
| Package Type | I-PAK |
| Polarization | N-Channel |
| Power Dissipation | 110 W |
| Product Header | Hexfet® Power MOSFET |
| Series | IRF Series |
| Temperature Operating Range | -55 to +150 °C |
| Total Gate Charge | 24 nC |
| Turn Off Delay Time | 17 ns |
| Turn On Delay Time | 8.7 ns |
| Typical Gate Charge @ Vgs | Maximum of 24 nC @ 10 V |
| Voltage, Breakdown, Drain to Source | 500 V |
| Width | 0 in |