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General Semiconductor / Vishay MBRB10H100-E3/45
General Semiconductor / Vishay MBRB10H100-E3/45
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General Semiconductor / Vishay MBRB10H100-E3/45 Specifications
Property | Value |
---|---|
Configuration | Dual Common Cathode |
Continuous Forward Current | 10 A |
Dimensions | 10.45 x 4.83 x 9.14 mm |
Diode Type | Schottky |
Forward Voltage | 0.71 V |
Height | 0.36" (9.14mm) |
Length | 0.411 in |
Maximum Junction Temperature | +175 °C |
Maximum Operating Temperature | +175 °C |
Minimum Operating Temperature | -65 °C |
Mounting Type | Through Hole |
Non Repetitive On State Peak Current | 150 A |
Number of Pins | 2 |
Operating Temperature | -65 to +175 °C |
Package Type | TO-263AB |
Peak Current | 4500 μA |
Primary Type | Schottky Barrier |
Product Header | High Voltage Schottky Rectifier |
Repetitive Peak Voltage | 100 V |
Resistance, Thermal, Junction to Case | 2.7 °C/W |
Reverse Current | 6 mA |
Series | MBR Series |
Surge Current | 250 A |
Temperature Operating Range | -65 to +175 °C |
Width | 0 in |