General Semiconductor / Vishay SS1H10-E3/61T

Diode,Schottky Barrier,Vr 100V,If 1A,Pkg DO-214AC (SMA),Vf 0.62V,Tj +175degc

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General Semiconductor / Vishay SS1H10-E3/61T Specifications

Property	Value
Configuration	Single
Continuous Forward Current	1 A
Dimensions	4.50 x 2.79 x 2.087 mm
Diode Type	Schottky
Forward Voltage	0.7 V
Height	0.082" (2.087mm)
Length	0.177 in
Maximum Junction Temperature	+175 °C
Maximum Operating Temperature	+175 °C
Mounting Type	Surface Mount
Non Repetitive On State Peak Current	50 A
Number of Pins	2
Operating Temperature	-65 to +175 °C
Package Type	DO-214AC
Peak Current	500 μA
Primary Type	Schottky Barrier
Product Header	High Voltage Surface Mount Schottky Barrier Rectifier
Rectifier Type	Switching
Repetitive Peak Voltage	100 V
Reverse Current	0.5 mA
Series	SS1 Series
Surge Current	50 A
Temperature Operating Range	Maximum of +175 °C
Width	0 in