Infineon IRF7319PBF
IRF7319PBF Dual N/P-channel MOSFET Transistor, 4.9 A, 6.5 A, 30 V, 8-Pin SOICNos complace ofrecer a nuestros clientes productos Infineon con entrega en sus respectivos países. Por favor, contáctenos para obtener información detallada sobre precios y tiempos de entrega. En su solicitud, envíe información con códigos de productos y detalles específicos a nuestra dirección de correo electrónico [email protected].
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Infineon IRF7319PBF Specifications
| Property | Value |
|---|---|
| Channel Type | N ; P |
| Configuration | Dual Source ; Quad Drain |
| Dimensions | 5.00 x 4.00 x 1.50 mm |
| Drain Current | -4.9 to 6.5 A |
| Drain to Source On Resistance | 0.046 to 0.098 Ohms |
| Drain to Source Voltage | -30 to 30 V |
| Forward Transconductance | 14 (N), 7.7 (P) S |
| Forward Voltage, Diode | -1 (P), 1 (N) V |
| Gate to Source Voltage | ±20 V |
| Height | 0.059" (1.5mm) |
| Input Capacitance | 650 pF @ 25 V (N), 710 pF @ -25 V (P) |
| Length | 0.196 in |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Number of Elements per Chip | 2 |
| Number of Pins | 8 |
| Package Type | SO-8 |
| Power Dissipation | 2 W |
| Series | HEXFET Series |
| Temperature Operating Range | -55 to +150 °C |
| Turn Off Delay Time | 26 (N), 34 (P) ns |
| Turn On Delay Time | 13 (P), 8.1 (N) ns |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 22 nC @ 10 V (N), 23 nC @ -10 V (P) |
| Width | 0 in |