Infineon IRF8313TRPBF

IRF8313TRPBF Dual N-channel MOSFET Transistor, 9.7 A, 30 V, 8-Pin SOIC

Nos complace ofrecer a nuestros clientes productos Infineon con entrega en sus respectivos países. Por favor, contáctenos para obtener información detallada sobre precios y tiempos de entrega. En su solicitud, envíe información con códigos de productos y detalles específicos a nuestra dirección de correo electrónico [email protected].

Nuestra gama de productos incluye una amplia variedad de opciones Infineon y otros modelos. Si no encuentra el modelo que busca, puede enviarnos un correo electrónico o completar el formulario de solicitud de cotización. Nuestra empresa ofrece solo productos originales o nuevos. Si tiene solicitudes especiales al respecto, no dude en contactarnos.

En esta página, encontrará información detallada sobre el producto Infineon IRF8313TRPBF. La marca Infineon es reconocida por sus piezas de alta calidad utilizadas en diversos sectores. El sitio web ofrece diferentes modelos de productos Infineon, que ofrecen opciones adaptadas a sus necesidades.

Por favor, contáctenos para realizar un pedido del producto Infineon IRF8313TRPBF o para obtener más detalles. Estaremos encantados de ayudarle a verificar el producto o explorar otros modelos.

No dude en contactarnos. Estamos aquí para entregar la pieza correcta de la manera más confiable. La satisfacción del cliente y la calidad del producto son nuestras principales prioridades. Estamos aquí para brindarle el mejor servicio.

Infineon IRF8313TRPBF Specifications

Property	Value
Channel Type	N
Configuration	Dual Drain
Dimensions	5.00 x 4.00 x 1.50 mm
Drain Current	9.7 A
Drain to Source On Resistance	21.6 mOhms
Drain to Source Voltage	30 V
Forward Transconductance	23 S
Forward Voltage, Diode	1 V
Gate to Source Voltage	±20 V
Height	0.059" (1.5mm)
Input Capacitance	760 pF @ 15 V
Length	0.196 in
Maximum Operating Temperature	+175 °C
Minimum Operating Temperature	-55 °C
Mounting Type	Surface Mount
Number of Elements per Chip	2
Number of Pins	8
Package Type	SO-8
Power Dissipation	2 W
Series	HEXFET Series
Temperature Operating Range	-55 to +175 °C
Turn Off Delay Time	8.5 ns
Turn On Delay Time	8.3 ns
Typical Gate Charge @ Vgs	6.0 nC @ 4.5 V
Width	0 in