Infineon IRFB3006PBF
IRFB3006PBF N-channel MOSFET Transistor, 270 A, 60 V, 3-Pin TO-220ABNos complace ofrecer a nuestros clientes productos Infineon con entrega en sus respectivos países. Por favor, contáctenos para obtener información detallada sobre precios y tiempos de entrega. En su solicitud, envíe información con códigos de productos y detalles específicos a nuestra dirección de correo electrónico [email protected].
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Infineon IRFB3006PBF Specifications
| Property | Value |
|---|---|
| Channel Type | N |
| Configuration | Single |
| Dimensions | 10.67 x 4.83 x 16.51 mm |
| Drain Current | 195 A |
| Drain to Source On Resistance | 2.5 mOhms |
| Drain to Source Voltage | 60 V |
| Forward Transconductance | 280 S |
| Forward Voltage, Diode | 1.3 V |
| Gate to Source Voltage | ± 20 V |
| Height | 0.65" (16.51mm) |
| Input Capacitance | 8970 pF @ 50 V |
| Length | 0.42 in |
| Maximum Operating Temperature | +175 °C |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Mounting Type | Through Hole |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Number of Pins | 3 |
| Package Type | TO-220AB |
| Power Dissipation | 375 W |
| Series | HEXFET Series |
| Temperature Operating Range | -55 to +175 °C |
| Turn Off Delay Time | 118 ns |
| Turn On Delay Time | 16 ns |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 200 nC @ 10 V |
| Width | 0 in |