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Infineon IRFI530NPBF
Infineon IRFI530NPBF
MOSFET, Power,N-Ch,VDSS 100V,RDS(ON) 0.11Ohm,ID 12A,TO-220 Full-Pak,PD 41W,-55CNos complace ofrecer a nuestros clientes productos Infineon con entrega en sus respectivos países. Por favor, contáctenos para obtener información detallada sobre precios y tiempos de entrega. En su solicitud, envíe información con códigos de productos y detalles específicos a nuestra dirección de correo electrónico [email protected].
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Infineon IRFI530NPBF Specifications
Property | Value |
---|---|
Channel Type | N |
Configuration | Single |
Dimensions | 10.63 x 4.83 x 9.80 mm |
Drain Current | 12 A |
Drain to Source On Resistance | 0.11 Ohms |
Drain to Source Voltage | 100 V |
Forward Transconductance | 6.4 S |
Forward Voltage, Diode | 1.3 V |
Gate to Source Voltage | ±20 V |
Height | 0.386" (9.8mm) |
Input Capacitance | 640 pF @ 25 V |
Length | 0.418 in |
Maximum Operating Temperature | +175 °C |
Minimum Operating Temperature | -55 °C |
Mounting Type | Through Hole |
Number of Elements per Chip | 1 |
Number of Pins | 3 |
Package Type | TO-220 Full-Pak |
Polarization | N-Channel |
Power Dissipation | 41 W |
Product Header | Hexfet® Power MOSFET |
Series | HEXFET Series |
Temperature Operating Range | -55 to +175 °C |
Total Gate Charge | 44 nC |
Turn Off Delay Time | 37 ns |
Turn On Delay Time | 6.4 ns |
Typical Gate Charge @ Vgs | Maximum of 44 nC @ 10 V |
Voltage, Breakdown, Drain to Source | 100 V |
Width | 0 in |