Infineon IRFIZ34EPBF

MOSFET, Power,N-Ch,VDSS 60V,RDS(ON) 0.042Ohm,ID 21A,TO-220 Full-Pak,PD 37W,-55C

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Infineon IRFIZ34EPBF Specifications

Property	Value
Drain Current	21 A
Drain to Source On Resistance	0.042 Ohm
Forward Transconductance	6.5 S
Forward Voltage, Diode	1.6 V
Gate to Source Voltage	±20 V
Maximum Operating Temperature	+175 °C
Minimum Operating Temperature	-55 °C
Package Type	TO-220 Full-Pak
Polarization	N-Channel
Power Dissipation	37 W
Product Header	Hexfet® Power MOSFET
Series	HEXFET Series
Total Gate Charge	34 nC
Turn Off Delay Time	31 ns
Turn On Delay Time	7 ns
Voltage, Breakdown, Drain to Source	60 V