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Infineon IRFZ44VZPBF
Infineon IRFZ44VZPBF
MOSFET, Power,N-Ch,VDSS 60V,RDS(ON) 9.6 Milliohms,ID 57A,TO-220AB,PD 92W,gFS 25SNos complace ofrecer a nuestros clientes productos Infineon con entrega en sus respectivos países. Por favor, contáctenos para obtener información detallada sobre precios y tiempos de entrega. En su solicitud, envíe información con códigos de productos y detalles específicos a nuestra dirección de correo electrónico [email protected].
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Infineon IRFZ44VZPBF Specifications
Property | Value |
---|---|
Application | For automotive applications |
Channel Type | N |
Configuration | Single |
Dimensions | 10.66 x 4.82 x 16.51 mm |
Drain Current | 57 A |
Drain to Source On Resistance | 12 mOhms |
Drain to Source Voltage | 60 V |
Fall Time | 38 ns (Typ.) |
Forward Transconductance | 25 S |
Forward Voltage, Diode | 1.3 V |
Gate to Source Voltage | ±20 V |
Height | 0.65" (16.51mm) |
Input Capacitance | 1690 pF @ 25 V |
Junction to Ambient Thermal Resistance | 62 °C⁄W |
Length | 0.419 in |
Maximum Operating Temperature | +175 °C |
Minimum Operating Temperature | -55 °C |
Mounting Type | Through Hole |
Number of Elements per Chip | 1 |
Number of Pins | 3 |
Operating and Storage Temperature | -55 to +175 °C (Max.) |
Package Type | TO-220AB |
Polarization | N-Channel |
Power Dissipation | 230 W |
Product Header | Hexfet® Power MOSFET |
Resistance, Thermal, Junction to Case | 1.64 °C/W (Max.) |
Series | HEXFET Series |
Temperature Operating Range | -55 to +175 °C |
Total Gate Charge | 43 nC |
Turn Off Delay Time | 35 ns |
Turn On Delay Time | 14 ns |
Typical Gate Charge @ Vgs | 43 nC @ 10 V |
Voltage, Breakdown, Drain to Source | 60 V |
Width | 0 in |