Infineon IRL2505PBF
MOSFET, Power,N-Ch,VDSS 55V,RDS(ON) 0.008Ohm,ID 104A,TO-220AB,PD 200W,VGS +/-16VNos complace ofrecer a nuestros clientes productos Infineon con entrega en sus respectivos países. Por favor, contáctenos para obtener información detallada sobre precios y tiempos de entrega. En su solicitud, envíe información con códigos de productos y detalles específicos a nuestra dirección de correo electrónico [email protected].
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Infineon IRL2505PBF Specifications
| Property | Value |
|---|---|
| Channel Type | N |
| Configuration | Single |
| Dimensions | 10.54 x 4.69 x 15.24 mm |
| Drain Current | 104 A |
| Drain to Source On Resistance | 0.013 Ohms |
| Drain to Source Voltage | 55 V |
| Forward Transconductance | 59 S |
| Forward Voltage, Diode | 1.3 V |
| Gate to Source Voltage | ± 16 V |
| Height | 0.6" (15.24mm) |
| Input Capacitance | 5000 pF @ 25 V |
| Length | 0.414 in |
| Maximum Operating Temperature | +175 °C |
| Minimum Operating Temperature | +55 °C |
| Mounting Type | Through Hole |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Number of Pins | 3 |
| Package Type | TO-220AB |
| Polarization | N-Channel |
| Power Dissipation | 200 W |
| Product Header | Hexfet® Power MOSFET |
| Series | HEXFET Series |
| Temperature Operating Range | 55 to +175 °C |
| Total Gate Charge | 130 nC |
| Turn Off Delay Time | 43 ns |
| Turn On Delay Time | 12 ns |
| Typical Gate Charge @ Vgs | Maximum of 130 nC @ 5 V |
| Voltage, Breakdown, Drain to Source | 55 V |
| Width | 0 in |