Infineon IRLS3036-7PPBF

IRLS3036-7PPBF N-channel MOSFET Transistor, 300 A, 60 V, 7-Pin D2PAK

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Infineon IRLS3036-7PPBF Specifications

Property	Value
Channel Type	N
Configuration	Penta Source
Dimensions	10.67 x 9.65 x 4.576 mm
Drain Current	300 A
Drain to Source On Resistance	2.2 mOhms
Drain to Source Voltage	60 V
Forward Transconductance	390 S
Forward Voltage, Diode	1.3 V
Gate to Source Voltage	± 16 V
Height	0.18" (4.576mm)
Input Capacitance	11270 pF @ 50 V
Length	0.42 in
Maximum Operating Temperature	+175 °C
Minimum Operating Temperature	-55 °C
Mounting Type	Surface Mount
Number of Elements per Chip	1
Number of Pins	7
Package Type	D2PAK
Power Dissipation	380 W
Series	HEXFET Series
Temperature Operating Range	-55 to +175 °C
Turn Off Delay Time	89 ns
Turn On Delay Time	81 ns
Typical Gate Charge @ Vgs	110 nC @4.5
Width	0 in