Infineon SI4410DYPBF

SI4410DYPBF N-channel MOSFET Transistor, 10 A, 30 V, 8-Pin SOIC

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Infineon SI4410DYPBF Specifications

Property	Value
Channel Type	N
Configuration	Quad Drain ; Triple Source
Dimensions	5 x 4 x 1.5 mm
Drain Current	10 A
Drain to Source On Resistance	0.02 Ohms
Drain to Source Voltage	30 V
Forward Transconductance	35 S
Forward Voltage, Diode	1.1 V
Gate to Source Voltage	± 20 V
Height	0.059" (1.5mm)
Input Capacitance	1585 pF @ 15 V
Length	0.196 in
Maximum Operating Temperature	+150 °C
Minimum Operating Temperature	-55 °C
Mounting Type	Surface Mount
Number of Elements per Chip	1
Number of Pins	8
Package Type	SO-8
Power Dissipation	2.5 W
Series	HEXFET Series
Temperature Operating Range	-55 to +150 °C
Turn Off Delay Time	38 ns
Turn On Delay Time	11 ns
Typical Gate Charge @ Vgs	30 nC @ 10 V
Width	0 in