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Infineon SMBT2222AE6327XT
Infineon SMBT2222AE6327XT
Transistor, Bipolar,Si,NPN,Switching,VCEO 40V,IC 600mA,PD 330mW,SOT-23,VCBO 75VNos complace ofrecer a nuestros clientes productos Infineon con entrega en sus respectivos países. Por favor, contáctenos para obtener información detallada sobre precios y tiempos de entrega. En su solicitud, envíe información con códigos de productos y detalles específicos a nuestra dirección de correo electrónico [email protected].
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Infineon SMBT2222AE6327XT Specifications
Property | Value |
---|---|
Collector Current | 600 mA |
Collector to Base Voltage | 75 V |
Collector to Emitter Voltage | 40 V |
Configuration | Common Base |
Dimensions | 2.9 x 1.3 x 1 mm |
Emitter to Base Voltage | 6 V |
Height | 0.039" (1mm) |
Length | 0.114" (2.9mm) |
Material | Si |
Maximum Operating Temperature | +150 °C |
Mounting Type | Surface Mount |
Number of Elements per Chip | 1 |
Number of Pins | 3 |
Operating Frequency | 300 MHz |
Package Type | SOT-23 |
Polarity | NPN |
Power Dissipation | 330 mW |
Primary Type | Si |
Product Header | NPN Silicon Switching Transistor |
Temperature Operating Range | Maximum of +150 °C |
Transistor Type | NPN |
Type | Switching |
Voltage, Breakdown, Collector to Emitter | 40 V |
Voltage, Collector to Emitter, Saturation | 1 V |
Voltage, Saturation, Base to Emitter | 2 V |
Width | 0.051" (1.3mm) |