NTE Electronics, Inc. NTE234
NTE Electronics, Inc. NTE234
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NTE Electronics, Inc. NTE234 Specifications
Property | Value |
---|---|
Collector Current | 100 A |
Collector to Base Voltage | 120 V |
Collector to Emitter Voltage | 120 V |
Configuration | Common Base |
Continuous Collector Current | 100 mA |
Dimensions | 5.2 x 4.2 x 5.33 mm |
Emitter to Base Voltage | 5 V |
Height | 0.21" (5.33mm) |
Length | 0.204" (5.2mm) |
Material | Si |
Material Type | Silicon |
Maximum Operating Temperature | +125 °C |
Minimum Operating Temperature | -55 °C |
Mounting Type | Through Hole |
Number of Elements per Chip | 1 |
Number of Pins | 3 |
Operating Frequency | 100 MHz |
Package Type | TO-92 |
Polarity | PNP |
Power Dissipation | 300 mW |
Primary Type | Si |
Product Header | Silicon PNP Transistor |
Series | Transistor Series |
Temperature Operating Range | -55 to +125 °C |
Temperature Range, Junction, Operating | -55 to +125 C |
Transistor Polarity | PNP |
Transistor Type | PNP |
Type | Amplifier, High Voltage |
UPC Code | 768249110910 |
Voltage, Breakdown, Collector to Emitter | 120 V |
Voltage, Collector to Emitter, Saturation | 0.3 V |
Voltage, Saturation, Collector to Emitter | 1.5 V |
Width | 0.165" (4.2mm) |