NTE Electronics, Inc. NTE253

Transistor, Darlington,Si,NPN,Amplifier, Power,Vo 80V,VI 5V,Io 4A,PD 40W,TO-126

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NTE Electronics, Inc. NTE253 Specifications

Property	Value
Collector Current	4 A
Collector to Base Voltage	80 V
Collector to Emitter Voltage	80 V
Configuration	Common Base
Continuous Collector Current	4 A
Device Dissipation	40 W
Dimensions	8.38 x 3.3 x 11.4 mm
Emitter to Base Voltage	5 V
Height	0.449" (11.4mm)
Input Voltage	5 V
Length	0.329 in
Material	Si
Maximum Operating Temperature	+150 °C
Minimum DC Current Gain	750
Minimum Operating Temperature	-65 °C
Mounting Type	Through Hole
Number of Elements per Chip	2
Number of Pins	3
Output Current	4 A
Output Voltage	80 VDC
Package Type	TO-126
Polarity	NPN
Power Dissipation	40 W
Primary Type	Si
Product Header	Complementary Darlington Silicon Transistor
Resistance, Thermal, Junction to Case	3.23 °C⁄W
Series	Transistor Series
Temperature Operating Range	-65 to +150 °C
Temperature Range, Junction, Operating	-65 to +150 C
Transistor Polarity	NPN
Transistor Type	NPN
Type	Amplifier, Power
UPC Code	768249118718
Voltage, Breakdown, Collector to Emitter	80 V
Voltage, Collector to Emitter, Saturation	3 V
Width	0 in